Просмотр архива категории

Транзисторы

Транзистор BC548A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 30V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 200MHz Cctip,pF 4.5 Hfe 110MIN Производитель PHILIPS Caps TO92 Применение Medium Power,…

Транзистор BC547C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 200MHz Cctip,pF 4.5 Hfe 420MIN Производитель PHILIPS Caps TO92 Применение Medium Power,…

Транзистор BC547B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 200MHz Cctip,pF 4.5 Hfe 200MIN Производитель PHILIPS Caps TO92 Применение Medium Power,…

Транзистор BC547A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 200MHz Cctip,pF 4.5 Hfe 110MIN Производитель PHILIPS Caps TO92 Применение Medium Power,…

Транзистор BC546B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 500mW Ucb,max 80V Uce,max 65V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 4.5 Hfe 200MIN Производитель PHILIPS Caps TO92 Применение Low Power, Medium…

Транзистор BC546A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 500mW Ucb,max 80V Uce,max 65V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 4.5 Hfe 110MIN Производитель PHILIPS Caps TO92 Применение Low Power, Medium…

Транзистор BC517

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 625mW Ucb,max 40V Uce,max 30V Ueb,max 10V Ic,max 400mA Tj,max 150єC Ft,max 120MHz Cctip,pF 5 Hfe 30000T Производитель TI Caps TO226 Применение Darlington, Medium Power…

Транзистор BC516

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 625mW Ucb,max 40V Uce,max 30V Ueb,max 10V Ic,max 400mA Tj,max 150єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 7 Hfe 30000T Производитель TI Caps TO226 Применение Darlington, Medium Power…