Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 400mW
Ucb,max 60V
Uce,max 50V
Ueb,max 5V
Ic,max 150mA
Tj,max 125єC
Ft,max 80MHz
Cctip,pF 3.5
Hfe 300T
Производитель TOSHIBA
Caps TO92
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 400mW
Ucb,max 60V
Uce,max 50V
Ueb,max 5V
Ic,max 150mA
Tj,max 175єC
Ft,max 80MHz
Cctip,pF 3.5
Hfe 500T
Производитель TOSHIBA
Caps TO92
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 50W
Ucb,max 120V
Uce,max 100V
Ueb,max 6V
Ic,max 6A
Tj,max 175єC
Ft,max 5MHz
Cctip,pF -
Hfe 20MIN
Производитель SANYO
Caps TO3
Применение High Power, High Voltage,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 50W
Ucb,max 80V
Uce,max 60V
Ueb,max 6V
Ic,max 6A
Tj,max 175єC
Ft,max 5MHz
Cctip,pF -
Hfe 20MIN
Производитель TOSHIBA
Caps TO3
Применение Power, General Purpose…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 750mW
Ucb,max 15V
Uce,max -
Ueb,max 12V
Ic,max 500mA
Tj,max 155єC
Ft,max 65MHz
Cctip,pF -
Hfe 160T
Производитель NEC
Caps TO236
Применение Medium Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 10W
Ucb,max 40V
Uce,max 40V
Ueb,max 5V
Ic,max 3A
Tj,max 150єC
Ft,max 40MHz
Cctip,pF 55
Hfe 160T
Производитель NEC
Caps TO126
Применение Power, General Purpose…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 240mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 500mA
Tj,max 125єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 6
Hfe 60/340
Производитель MATSUSHITA
Caps TO236
Применение Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 30W
Ucb,max 200V
Uce,max 150V
Ueb,max 5V
Ic,max 2A
Tj,max 150єC
Ft,max 5MHz
Cctip,pF -
Hfe 40MIN
Производитель NEC
Caps TO220
Применение Power, High Voltage, General…
Параметр
Обозначение
Условия измерения
КТ3107А
Ед.измерения
Мин.
Тип.
Макс.
Максимальное дополнительное напряжение коллектор-база
V(BR)CBO
IC=10мкА, IE=0
50/25
--
--
B
Максимальное дополнительное напряжение…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 30V
Uce,max -
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 85MHz
Cctip,pF -
Hfe 50MIN
Производитель SANYO
Caps TO92
Применение RF, Low Power, General…