Транзистор IRFZ25
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 60W
Uds,max 60V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 14A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: STP20N06;…
Просмотр архива категории
Транзисторы
Транзистор IRFZ20
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 40W
Uds,max 50V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 15A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) -
Ciss -
Rds,ohm 0.1
Caps TO220
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги: BUZ71;…
Транзистор IRF740
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 400V
Udg,max 400V
Ugs,max 20V
Id,max 10A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 32/48
Ciss 1450
Rds,ohm 0.550
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT…
Транзистор IRFZ15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.3
Максимальная температура канала (Tj): 150
Тип…
IRF3205
IRF3205 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Группа компонентов
MOSFET
Основные параметры
Полярность
N
Каналов,шт
1
VDSS,В
55
RDS(ON) 10 В,мОм
8
ID,А
75…
IRF2805
IRF2805 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Группа компонентов
MOSFET
Основные параметры
Полярность
N
Каналов,шт
1
VDSS,В
55
RDS(ON) 10 В,мОм
4.7
ID,А
175…
IRF2804S-7P
IRF2804S-7P HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Группа компонентов
MOSFET