Транзисторы

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 90W Uds,max 100V Udg,max 100V Ugs,max 20V Id,max 16A Tj,max 175єC Fr (ton/toff) 30/180 Ciss 900 Rds,ohm 0.160 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 42W Uds,max 100V Udg,max Ugs,max Id,max 7.9A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги:

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 60W Uds,max 100V Udg,max Ugs,max Id,max 7A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 0.36 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: IRF520;…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 60W Uds,max 60V Udg,max Ugs,max Id,max 9.2A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 0.27 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: IRF520;…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 70W Uds,max 100V Udg,max 100V Ugs,max 20V Id,max 10A Tj,max 175єC Fr (ton/toff) 15/75nS Ciss 450pF Rds,ohm 0.270 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 43W Uds,max 100V Udg,max Ugs,max - Id,max 4.9A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 47/42nS Ciss - Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: IRF520;…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 43W Uds,max 80V Udg,max Ugs,max - Id,max 5.6A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 47/42nS Ciss - Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: IRF520;…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max Uds,max 100V Udg,max Ugs,max Id,max 5.6A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm 0.540 Caps N/A Производитель INTERSIL Применение Power MOSFET Аналоги:…

MOS FET Channel N 50V, 75A, 200W, <14mOhm(40A)  

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 200W Uds,max 60V Udg,max 60V Ugs,max 20V Id,max 27A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 270/1300 Ciss 5200 Rds,ohm 0.014 Caps TO-218 Производитель STE Применение…