Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 400V
Udg,max 400V
Ugs,max 20V
Id,max 10A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 32/48
Ciss 1450
Rds,ohm 0.550
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT MODE POWER MOS
Аналоги: BUK457-400B;MTP10N40E;RFP7N40;