Новости
bss123

BSS123

bss123BSS123 N-канальный TrenchMOS транзистор с логическим уровнем FET

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDSS 100
RDS(ON) 10 В,мОм 3500
ID 0.15
PD,Вт 0.25
Корпус SOT-23-3

Datasheet

BSS123 N-канальный TrenchMOS транзистор с логическим уровнем FET

Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показанОбязательные для заполнения поля помечены *

*

Powered by