BSS123
BSS123 N-канальный TrenchMOS транзистор с логическим уровнем FET
Группа компонентов
MOSFET
Основные параметры
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 100 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 3500 |
| ID,А | 0.15 |
| PD,Вт | 0.25 |
| Корпус | SOT-23-3 |
Datasheet
BSS123 N-канальный TrenchMOS транзистор с логическим уровнем FET