BSS138 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Группа компонентов
MOSFET
Основные параметры
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 60 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 3500 |
| ID,А | 0.2 |
| PD,Вт | 0.3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
Datasheet
BSS138 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR