Новости

IRF635

Тип FET транзистор c_TO220
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 75W
Uds,max 250V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 6.5A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 49/76nS
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: КП737В,

ch_TO220FE

Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показанОбязательные для заполнения поля помечены *

*

Powered by