IRF635

Want create site? Find Free WordPress Themes and plugins.

Тип FET транзистор c_TO220
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 75W
Uds,max 250V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 6.5A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 49/76nS
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: КП737В,

ch_TO220FE

Did you find apk for android? You can find new Free Android Games and apps.
Вам также могут понравиться

Оставьте ответ

Ваш электронный адрес не будет опубликован.

Все результаты поиска