Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 75W
Uds,max 400V
Udg,max 400V
Ugs,max 20V
Id,max 4.2A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 33/90
Ciss 450
Rds,ohm 1.800
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT MODE POWER MOS
Аналоги: MTP3N40, IRF730, STP4N40,