Транзистор IRF830

Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 200W
Ucb,max 100V
Uce,max 100V
Ueb,max 7V
Ic,max 16A
Tj,max 200єC
Ft,max 1MHz
Cctip,pF —
Hfe 25MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO3
Применение High Power, High Voltage, General Purpose
Аналоги: BUK455-500B;IXTP4N45;IXTP4N45A;IXTP4N50A;MTP4N50E;RFP6N45;RFP6N50;SGSP364;SGSP368;SGSP369;SSP4N45;SSP4N50;