Новости
c_TO218

IRFP150

Тип FET транзистор c_TO218
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 180W
Uds,max 100V
Udg,max 100V
Ugs,max ±20V
Id,max 40A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 30/120nS
Ciss 2800pF
Rds,ohm 0.055
Caps TO-218
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT MODE POWER MOS
Аналоги: STW55N10, 2N7054, 2SK906, BUK436-100A, BUK436-100B, MTH25N10, RFG40N10, RFH35N08, RFH35N10, SGSP471, SGSP472, КП747А,

ch_TO218FE

Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показанОбязательные для заполнения поля помечены *

*

Powered by