Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 80W
Uds,max 50V
Udg,max 50V
Ugs,max 20V
Id,max 18A
Tj,max 175єC
Fr (ton/toff) 65/95nS
Ciss 700pF
Rds,ohm 0.100
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT MODE POWER MOS
Аналоги: IRF541, MTP15N05E, RFP14N05, RFP15N05, КП727А,