IRFZ45

Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 150W
Uds,max 60V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 35A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: STP36N06, КП723Б