MTP6N60

Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 600V
Udg,max 600V
Ugs,max 20V
Id,max 16.8A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 65/175
Ciss 1500
Rds,ohm 1.200
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT MODE POWER MOS
Аналоги: BUK457-600B, IXTP6N60A, MTP6N60E, КП724А