Новости

Условные обозначения параметров транзисторов

* Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.

Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.

Параметр, помеченный буквой «т» означают, что приводится типовое значение.

Обозначение

Параметр

B1-B2/Iк 

статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером; в справочнике приводятся минимальное (B1) и максимальное (B2) значение и ток (Iк) при котором этот параметр определяется. 

Fт 

предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора. 

Cк/Uк 

емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется. 

Cэ/Uэ 

емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется. 

tр 

время рассасывания биполярного транзистора. 

Uкэ(Iк/Iб) 

напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб). 

Iко 

обратный ток коллектора. 

Uкб 

максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база. 

Uэб 

максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база. 

Uкэ/R 

максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R). 

Iбм 

предельно допустимый постоянный ток базы транзистора. 

Iкм/Iкнас 

предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкнас) или в импульсе. 

Pк 

максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе. 

Pк/Pт 

максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт). 

Rпк 

тепловое сопротивление перехода коллектор-корпус транзистора. 

Цок 

номер рисунка с расположением выводов. 

Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показанОбязательные для заполнения поля помечены *

*

Powered by