Ноябрь 2013

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 100W Uds,max 400V Udg,max 400V Ugs,max 20V Id,max 5.5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 62/45 Ciss 800 Rds,ohm 1.000 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 100W Uds,max 800V Udg,max 800V Ugs,max 20V Id,max 3.8A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 90/200nS Ciss 1100pF Rds,ohm 3.000 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 90W Uds,max 60V Udg,max Ugs,max Id,max 25A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: NDP5060L, STP32N0 6L,…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 90W Uds,max 60V Udg,max Ugs,max Id,max 30A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: NDP5060, STP30N06,…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 80W Uds,max 50V Udg,max 50V Ugs,max 20V Id,max 18A Tj,max 175єC Fr (ton/toff) 65/95nS Ciss 700pF Rds,ohm 0.100 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 600V Udg,max 600V Ugs,max ±20V Id,max 4A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 30/150nS Ciss 1050pF Rds,ohm 2 Caps TO220AB Производитель SIEMENS Применение…

<<< Маркировка электронных компонентов

Примеры стандартных кодовых маркировок   

Обычно для индуктивностей кодируется номинальное значение индуктивности и допуск, т.е. допускаемое отклонение от указанного номинала. Номинальное значение кодируется цифрами, а допуск — буквами. Применяется два вида кодирования.   А.…