Просмотр архива категории
Эл.компоненты
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 79W
Uds,max 100V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 12A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) -
Ciss -
Rds,ohm 0.23
Caps TO220
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги:…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 79W
Uds,max 80V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 14A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) -
Ciss -
Rds,ohm 0.16
Caps TO220
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги: IRF530;…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 94W
Uds,max 55V
Udg,max
Ugs,max 10V
Id,max 53A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm 0.016
Caps TO-220AB
Производитель IRF
Применение
Аналоги: NDP7060;…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 90W
Uds,max 100V
Udg,max 100V
Ugs,max 20V
Id,max 16A
Tj,max 175єC
Fr (ton/toff) 30/180
Ciss 900
Rds,ohm 0.160
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 42W
Uds,max 100V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 7.9A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги:
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 60W
Uds,max 100V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 7A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) -
Ciss -
Rds,ohm 0.36
Caps TO220
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги: IRF520;…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 60W
Uds,max 60V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 9.2A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) -
Ciss -
Rds,ohm 0.27
Caps TO220
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги: IRF520;…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 70W
Uds,max 100V
Udg,max 100V
Ugs,max 20V
Id,max 10A
Tj,max 175єC
Fr (ton/toff) 15/75nS
Ciss 450pF
Rds,ohm 0.270
Caps TO-220
Производитель STE
Применение…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 43W
Uds,max 100V
Udg,max
Ugs,max -
Id,max 4.9A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 47/42nS
Ciss -
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: IRF520;…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 43W
Uds,max 80V
Udg,max
Ugs,max -
Id,max 5.6A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 47/42nS
Ciss -
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: IRF520;…