Просмотр архива категории

Транзисторы

Транзистор BC309B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 25V Uce,max 20V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 8 Hfe 250MIN Производитель SIEMENS Caps TO226 Применение Low Power, Low…

Транзистор BC309A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 25V Uce,max 20V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 8 Hfe 125MIN Производитель SIEMENS Caps TO226 Применение Low Power, Low…

Транзистор BC308C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 8 Hfe 450MIN Производитель SIEMENS Caps TO226 Применение Low Power, General…

Транзистор BC308B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 8 Hfe 240MIN Производитель SIEMENS Caps TO226 Применение Low Power, General…

Транзистор BC308A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 8 Hfe 125MIN Производитель SIEMENS Caps TO226 Применение Low Power, General…

Транзистор BC307C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 130MHz Cctip,pF 6 Hfe 500T Производитель SIEMENS Caps X10 Применение Low Power, Low Noise,…

Транзистор BC307B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 130MHz Cctip,pF 6 Hfe 240MIN Производитель SIEMENS Caps X10 Применение Low Power, General…

Транзистор BC307А

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 130MHz Cctip,pF 6 Hfe 125MIN Производитель SIEMENS Caps X10 Применение Low Power, General…

Транзистор BC239C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 300mW Ucb,max 30V Uce,max 20V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 5 Hfe 420MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Low Power, Low…

Транзистор BC239B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 300mW Ucb,max 30V Uce,max 20V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 5 Hfe 200MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Low Power, Low…