Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 300mW
Ucb,max 25V
Uce,max 20V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 8
Hfe 250MIN
Производитель SIEMENS
Caps TO226
Применение Low Power, Low…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 300mW
Ucb,max 25V
Uce,max 20V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 8
Hfe 125MIN
Производитель SIEMENS
Caps TO226
Применение Low Power, Low…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 300mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 8
Hfe 450MIN
Производитель SIEMENS
Caps TO226
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 300mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 8
Hfe 240MIN
Производитель SIEMENS
Caps TO226
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 300mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 8
Hfe 125MIN
Производитель SIEMENS
Caps TO226
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 300mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 130MHz
Cctip,pF 6
Hfe 500T
Производитель SIEMENS
Caps X10
Применение Low Power, Low Noise,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 300mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 130MHz
Cctip,pF 6
Hfe 240MIN
Производитель SIEMENS
Caps X10
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 300mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 130MHz
Cctip,pF 6
Hfe 125MIN
Производитель SIEMENS
Caps X10
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 300mW
Ucb,max 30V
Uce,max 20V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 5
Hfe 420MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Low Power, Low…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 300mW
Ucb,max 30V
Uce,max 20V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 5
Hfe 200MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Low Power, Low…