Транзисторы

Основные параметры Полярность NPN VCBO,В 50 VCEO,В 45 VEBO,В 5 IC,А 0.8 ICM,А 1 PD,Вт 0.625 hFE (мин.) 250 hFE (макс.) 630 VCE(sat),В 0.7 FT,МГц 100 TJ (макс.),°C 150…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 360mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 800mA Tj,max 150єC Ft,max 60MHz Cctip,pF 20 Hfe 160MIN Производитель SIEMENS Caps TO92 Применение Medium Power, General Purpose…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 360mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 800mA Tj,max 150єC Ft,max 60MHz Cctip,pF 20 Hfe 100MIN Производитель SIEMENS Caps TO92 Применение Medium Power, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 800mA Tj,max 150єC Ft,max 60MHz Cctip,pF 18 Hfe 250MIN Производитель SIEMENS Caps TO92 Применение Medium Power, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 800mA Tj,max 150єC Ft,max 60MHz Cctip,pF 18 Hfe 160MIN Производитель SIEMENS Caps TO92 Применение Medium Power, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 800mA Tj,max 150єC Ft,max 60MHz Cctip,pF 18 Hfe 100MIN Производитель SIEMENS Caps TO92 Применение Medium Power, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 800mA Tj,max 150єC Ft,max 60MHz Cctip,pF 18 Hfe 63MIN Производитель SIEMENS Caps TO92 Применение Medium Power, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 800mA Tj,max 150єC Ft,max 60MHz Cctip,pF 18 Hfe 160MIN Производитель SIEMENS Caps TO92 Применение Medium Power, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 800mA Tj,max 150єC Ft,max 60MHz Cctip,pF 18 Hfe 100MIN Производитель SIEMENS Caps TO92 Применение Medium Power, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 25V Uce,max 20V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 8 Hfe 270MIN Производитель ITT Caps TO226 Применение Low Power, Low Noise,…