Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 300mW
Ucb,max 30V
Uce,max 20V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 5
Hfe 200MIN
Производитель MCE
Caps TO226
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 300mW
Ucb,max 30V
Uce,max 20V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 5
Hfe 420MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 300mW
Ucb,max 30V
Uce,max 20V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 5
Hfe 200MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 300mW
Ucb,max 30V
Uce,max 20V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 5
Hfe 110MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 300mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 6V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 5
Hfe 420MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 300mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 6V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 5
Hfe 200MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 300mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 6V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 5
Hfe 110MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 360mW
Ucb,max 50V
Uce,max 30V
Ueb,max 5V
Ic,max 400mA
Tj,max 150єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 10
Hfe 200MIN
Производитель TI
Caps TO226
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 360mW
Ucb,max 50V
Uce,max 30V
Ueb,max 5V
Ic,max 400mA
Tj,max 150єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 10
Hfe 100MIN
Производитель TI
Caps TO226
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 3.7W
Ucb,max 80V
Uce,max 40V
Ueb,max 7V
Ic,max 1A
Tj,max 175єC
Ft,max 50MHz
Cctip,pF 25
Hfe 40MIN
Производитель TELEFUNKEN
Caps TO39
Применение Medium Power, General…