Просмотр архива категории

Транзисторы

Транзистор BC239A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 300mW Ucb,max 30V Uce,max 20V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 5 Hfe 200MIN Производитель MCE Caps TO226 Применение Low Power, General…

Транзистор BC238C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 300mW Ucb,max 30V Uce,max 20V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 5 Hfe 420MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Low Power, General…

Транзистор BC238B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 300mW Ucb,max 30V Uce,max 20V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 5 Hfe 200MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Low Power, General…

Транзистор BC238A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 300mW Ucb,max 30V Uce,max 20V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 5 Hfe 110MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Low Power, General…

Транзистор BC237C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 300mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 5 Hfe 420MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Low Power, General…

Транзистор BC237B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 300mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 5 Hfe 200MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Low Power, General…

Транзистор ВС237А

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 300mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 5 Hfe 110MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Low Power, General…

Транзистор BC223B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 360mW Ucb,max 50V Uce,max 30V Ueb,max 5V Ic,max 400mA Tj,max 150єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 10 Hfe 200MIN Производитель TI Caps TO226 Применение Low Power, General…

Транзистор BC223A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 360mW Ucb,max 50V Uce,max 30V Ueb,max 5V Ic,max 400mA Tj,max 150єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 10 Hfe 100MIN Производитель TI Caps TO226 Применение Low Power, General…

Транзистор ВС140

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 3.7W Ucb,max 80V Uce,max 40V Ueb,max 7V Ic,max 1A Tj,max 175єC Ft,max 50MHz Cctip,pF 25 Hfe 40MIN Производитель TELEFUNKEN Caps TO39 Применение Medium Power, General…