Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 250mW
Ucb,max 50V
Uce,max 40V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 125MHz
Cctip,pF -
Hfe 75MIN
Производитель NEC
Caps TO92
Применение RF, Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 2W
Ucb,max 40V
Uce,max 40V
Ueb,max 4V
Ic,max 500mA
Tj,max 175єC
Ft,max 400MHz
Cctip,pF 6
Hfe 20MIN
Производитель MITSUBISHI
Caps TO131
Применение VHF, Power
Аналоги:…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 1.2W
Ucb,max 40V
Uce,max 24V
Ueb,max 3V
Ic,max 400mA
Tj,max 175єC
Ft,max 250MHz
Cctip,pF -
Hfe 50T
Производитель NEC
Caps TO39
Применение VHF, Medium Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 250mW
Ucb,max 70V
Uce,max 40V
Ueb,max 5V
Ic,max 200mA
Tj,max 125єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 14
Hfe 60T
Производитель MITSUBISHI
Caps TO92
Применение Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 120mW
Ucb,max 30V
Uce,max -
Ueb,max 4V
Ic,max 30mA
Tj,max 125єC
Ft,max 300MHz
Cctip,pF -
Hfe 40MIN
Производитель SANYO
Caps TO92
Применение VHF, Low Power
Аналоги:…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 120mW
Ucb,max 40V
Uce,max -
Ueb,max 4V
Ic,max 30mA
Tj,max 125єC
Ft,max 175MHz
Cctip,pF -
Hfe 30MIN
Производитель SANYO
Caps TO92
Применение VHF, Low Power
Аналоги:…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 750mW
Ucb,max 50V
Uce,max 30V
Ueb,max 5V
Ic,max 600mA
Tj,max 175єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF -
Hfe 10MIN
Производитель MATSUSHITA
Caps TO5
Применение Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 40W
Ucb,max 450V
Uce,max -
Ueb,max -
Ic,max 7A
Tj,max 125єC
Ft,max -
Cctip,pF -
Hfe 20MIN
Производитель NEC
Caps TO218
Применение Power, Switching, General Purpose…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 100W
Ucb,max 500V
Uce,max 400V
Ueb,max 7V
Ic,max 10A
Tj,max 125єC
Ft,max -
Cctip,pF -
Hfe 10MIN
Производитель TOSHIBA
Caps TO218
Применение Power, High Voltage,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 300mW
Ucb,max 60V
Uce,max -
Ueb,max -
Ic,max 500mA
Tj,max 150єC
Ft,max -
Cctip,pF -
Hfe 70/240
Производитель TOSHIBA
Caps TO236
Применение Medium Power, Switching…