Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 300mW
Ucb,max 60V
Uce,max 40V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 60MHz
Cctip,pF 25
Hfe 40MIN
Производитель STE
Caps TO106
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 800mW
Ucb,max 60V
Uce,max 30V
Ueb,max 5V
Ic,max 1A
Tj,max 200єC
Ft,max 40MHz
Cctip,pF 25
Hfe 40MIN
Производитель STE
Caps TO39
Применение Medium Power, General Purpose…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 50W
Ucb,max 1500V
Uce,max -
Ueb,max 6V
Ic,max 6A
Tj,max 150єC
Ft,max -
Cctip,pF -
Hfe 6T
Производитель HITACHI
Caps TO3
Применение Power, TV Deflection…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 200mW
Ucb,max 150V
Uce,max 150V
Ueb,max 5V
Ic,max 50mA
Tj,max 150єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 6
Hfe 65/220
Производитель MATSUSHITA
Caps TO236
Применение Low Power, Low…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 200mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 500mA
Tj,max 125єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 6
Hfe 60/340
Производитель MATSUSHITA
Caps TO236
Применение Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 5W
Ucb,max 120V
Uce,max 100V
Ueb,max 5V
Ic,max 800mA
Tj,max 175єC
Ft,max 40MHz
Cctip,pF -
Hfe 40/320
Производитель NEC
Caps TO126
Применение Medium Power, High Voltage…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 30W
Ucb,max 200V
Uce,max 150V
Ueb,max 5V
Ic,max 2A
Tj,max 175єC
Ft,max 5MHz
Cctip,pF -
Hfe 40/200
Производитель NEC
Caps TO220
Применение Power, High Voltage, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 30W
Ucb,max 100V
Uce,max -
Ueb,max -
Ic,max 5A
Tj,max 150єC
Ft,max -
Cctip,pF -
Hfe 8000T
Производитель SHINDENGEN
Caps TO220
Применение Darlington, Power
Аналоги:…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 65W
Ucb,max 1500V
Uce,max -
Ueb,max -
Ic,max 5A
Tj,max 175єC
Ft,max -
Cctip,pF -
Hfe 80T
Производитель HITACHI
Caps TO3
Применение TV Horizontal Deflection
Аналоги:…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 250mW
Ucb,max 50V
Uce,max 40V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 125MHz
Cctip,pF -
Hfe 75MIN
Производитель NEC
Caps TO92
Применение RF, Low Power, General…