Транзисторы

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 60W Ucb,max 600V Uce,max 450V Ueb,max 7V Ic,max 8A Tj,max 180єC Ft,max 20MHz Cctip,pF - Hfe 100MIN Производитель SHINDENGEN Caps TO220 Применение Power, High Voltage,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 200mW Ucb,max 20V Uce,max 20V Ueb,max 2V Ic,max 20mA Tj,max 125єC Ft,max 225MHz Cctip,pF 2 Hfe 80T Производитель TOSHIBA Caps TO98-1 Применение VHF, Low Power…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 200mW Ucb,max 35V Uce,max 30V Ueb,max 4V Ic,max 30mA Tj,max 125єC Ft,max 125MHz Cctip,pF 4 Hfe 40MIN Производитель TOSHIBA Caps TO92 Применение Low Power, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 30W Ucb,max 800V Uce,max 500V Ueb,max 5V Ic,max 5A Tj,max 150єC Ft,max 18MHz Cctip,pF 80 Hfe 15/50 Производитель SANYO Caps ISO220 Применение Power, High Voltage,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 50W Ucb,max 1200V Uce,max - Ueb,max - Ic,max 8A Tj,max 150єC Ft,max - Cctip,pF - Hfe 100MIN Производитель MATSUSHITA Caps TO3 Применение Power, High Voltage, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 360mW Ucb,max 200V Uce,max - Ueb,max - Ic,max 50mA Tj,max 125єC Ft,max - Cctip,pF - Hfe 90T Производитель FUJITSU Caps TO236 Применение Medium Power, High Voltage,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 90W Ucb,max 500V Uce,max 400V Ueb,max 7V Ic,max 10A Tj,max 175єC Ft,max 20MHz Cctip,pF 120 Hfe 20/40 Производитель TOSHIBA Caps TO247 Применение Power, High Voltage,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 40W Ucb,max 250V Uce,max 200V Ueb,max 7V Ic,max 10A Tj,max 200єC Ft,max - Cctip,pF - Hfe 20MIN Производитель TOSHIBA Caps TO220 Применение High Power, High Voltage,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 60W Ucb,max 55V Uce,max - Ueb,max - Ic,max 15A Tj,max 150єC Ft,max 860MHz Cctip,pF - Hfe 45T Производитель NEC Caps TO89-3 Применение Dual Аналоги: 2Т9155Б,

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 10W Ucb,max 50V Uce,max - Ueb,max - Ic,max 12A Tj,max 150єC Ft,max 860MHz Cctip,pF - Hfe 45T Производитель FUJITSU Caps TO89-3 Применение Dual Аналоги: 2Т9155А,