Транзисторы

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 400V Udg,max Ugs,max Id,max 14A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 35/170nS Ciss 2600pF Rds,ohm 0.4 Caps TO3 Производитель SEMELAB Применение Аналоги:…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max Uds,max 400V Udg,max Ugs,max Id,max 2A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm 3.600 Caps N/A Производитель INTERSIL Применение Power MOSFET

Тип FET транзистор  Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 600V Udg,max 600V Ugs,max ±20V Id,max 4.5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 30/150nS Ciss 1050pF Rds,ohm 1.6 Caps TO220AB Производитель SIEMENS Применение…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 200V Udg,max 200V Ugs,max 20V Id,max 18A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 30/105 Ciss 2100 Rds,ohm 0.180 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 70W Uds,max 200V Udg,max 200V Ugs,max 20V Id,max 5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 45/100 Ciss 600 Rds,ohm 0.800 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 43W Uds,max 200V Udg,max Ugs,max - Id,max 2.6A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 38/34nS Ciss - Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: MTP2N18,…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 43W Uds,max 150V Udg,max Ugs,max - Id,max 3.3A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 38/34nS Ciss - Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 70W Uds,max 100V Udg,max 100V Ugs,max 20V Id,max 10A Tj,max 175єC Fr (ton/toff) 15/75nS Ciss 450pF Rds,ohm 0.270 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

MOS FET Channel N 50V 1,4A 1W <0,3Ohm

MOS FET Channel N 240v 0, 25А 1W < 8 ом