IRF612

Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 43W
Uds,max 200V
Udg,max
Ugs,max —
Id,max 2.6A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 38/34nS
Ciss —
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: MTP2N18, MTP2N20, MTP 5N20, 2SK923, 2SK924, 2SK1391