Новости
c_TO220

IRF611

Тип FET транзисторc_TO220
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 43W
Uds,max 150V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 3.3A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 38/34nS
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG

ch_TO220FE

Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показанОбязательные для заполнения поля помечены *

*

Powered by