IRF611

Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 43W
Uds,max 150V
Udg,max
Ugs,max —
Id,max 3.3A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 38/34nS
Ciss —
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG