Просмотр архива категории

Транзисторы

Транзистор IRF250

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 200V Udg,max Ugs,max Id,max 30A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 35/170nS Ciss - Rds,ohm 0.09 Caps TO3 Производитель SEMELAB Применение Аналоги:…

Транзистор IRF240

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 200V Udg,max Ugs,max Id,max 18A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 20/58nS Ciss - Rds,ohm 0.21 Caps TO3 Производитель SEMELAB Применение Аналоги:…

Транзистор IRF150

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 100V Udg,max Ugs,max Id,max 38A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 65/190nS Ciss 3700pF Rds,ohm 0.055 Caps TO3 Производитель SEMELAB Применение Аналоги:…

IRF722

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 50W Uds,max 400V Udg,max Ugs,max Id,max 2.8A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 2.5 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: MTP2N40, IRF720,…

Транзистор IRF721

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 50W Uds,max 350V Udg,max Ugs,max Id,max 3.3A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 1.8 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги:…

Транзистор IRF720

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 400V Udg,max 400V Ugs,max 20V Id,max 4.2A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 33/90 Ciss 450 Rds,ohm 1.800 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT…

Транзистор IRL640

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 200V Udg,max Ugs,max 4.5V Id,max 17A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm 0.18 Caps TO-220AB Производитель IRF Применение Аналоги:

Транзистор IRF642

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 200V Udg,max Ugs,max Id,max 16A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 98/122nS Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: MTP12N18,…

Транзистор IRF641

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 150V Udg,max Ugs,max Id,max 18A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 98/122nS Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: IRF640;…

Транзистор IRF640

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 200V Udg,max 200V Ugs,max 20V Id,max 18A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 30/105 Ciss 2100 Rds,ohm 0.180 Caps TO-220 Производитель STE Применение…