Транзистор IRF712
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 36W
Uds,max 400V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 1.7A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 27/49nS
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги:
 |